2024.05.22
一、设备清单
设备编号 |
仪器设备名称 |
型号及规格 |
数量 |
价格 (万元) |
主要用途 |
1 |
等离子体增强化学气相沉积(PECVD) |
PECVD-8100 |
1 |
40 |
沉积高性能薄膜材料 |
2 |
电子束蒸发设备 |
MEB-800 |
1 |
45 |
蒸发较厚的电极、介质膜、绝缘膜、钝化膜、有机薄膜 |
3 |
二腔磁控溅射 |
MSP-400D |
1 |
75 |
制备器件的金属电极及介电层，制备纳米材料的薄膜层 |
4 |
高真空有机热蒸发镀膜机 |
PD-400S |
1 |
65 |
真空沉积设备，热蒸镀有机材料薄膜 |
5 |
高温材料合成炉 |
TCVD-OTF-1200X-S2-50SL |
1 |
21 |
实现无机化合物的热解、烧结、晶体生长等过程 |
6 |
手动升降旋转蒸发仪 |
EYELA NVP-1000 |
1 |
4 |
大量溶剂的快速蒸发以及微量组分的浓缩 |
7 |
真空吸附线棒刮刀加热一体式涂布机 |
TBJ-X3-XB |
1 |
2.5 |
刮涂制备大面积发光薄膜和器件 |
二、单个仪器设备具体情况介绍
2.1.2. 等离子体增强化学气相沉积
主要技术参数：
(1) 样片数量及尺寸：1片Ф4英寸；
(2) 沉积材料：包括并不限于硅基（Si）薄膜、碳基（C）薄膜、硅锗合金（SiGe）、钨硅合金（WSi2）、W、SiC；
(3) 沉积腔体：高真空系统；
(4) Load-Lock：低真空系统或高真空系统。双片装，样品自动运送。
(5) 沉积不均匀性：±3%-±6%；
(6) 沉积速率：20-600 nm/min（视具体材料与工艺）；
(7) 工作台：可升降，高度可调；
(8) 加热：常规加热，可选高温加热；
(9) 电源配置：射频；直流偏压；
(10) 气路数量与种类：标配4路气路或用户选配；
(11) 光学性能监测：可选配椭偏仪在线监测系统；
(12) 渐变折射率薄膜制备：可选配快速流量变化与控制系统；
(13) 操作模式：全自动+半自动控制。
可开展的实验：用于在从室温到400℃的温度范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜；合成二维材料。特别适用于沉积用于刻蚀掩膜，电隔离膜及其他的介质膜。
2.1.2. 电子束蒸发设备
主要技术参数：
(1) 样片数量及尺寸：4片Φ150 mm或伞形工件架（用户定制）；
(2) 蒸发材料：金属；非金属；化合物等薄膜材料。
(3) 蒸发腔体：高真空系统。
(4) 蒸发不均匀性：≤±3%-±5％；
(5) 工件架：可旋转，转速可调；
(6) 加热：常规加热；
(7) 电子枪：E型，带XY偏转扫描；
(8) 电子枪坩埚：6穴，35 cc；
(9) 膜厚监控功能：石英晶控膜厚在线监测与终点控制；
(10) 清洗功能：可选配离子源清洗；
(11) 检测与控制光学特性功能：可选配光控仪；
(12) 操作模式：全自动+半自动控制。
可开展的实验：光学器件薄膜蒸镀，介质膜、绝缘膜、钝化膜和有机薄膜，传感功能器件中金属薄膜蒸镀，大面积的氧化物薄膜如SiO2，太阳能电池板。
2.1.3. 二腔磁控溅射
主要技术参数：
(1) 样片数量及尺寸：6-8片；Ф3英寸~Ф4英寸；
(2) 溅射材料：贵重金属；
(3) 溅射腔体：高真空系统；
(4) 溅射不均匀性：≤±3%-±5％；
(5) 磁控靶：2-4支；
(6) 溅射方向：样品下置（自上而下溅射）；
(7) 样品台旋转：公转同时自转；仅公转；
(8) 加热：常规加热，可选高温加热；
(9) 电源配置：射频；直流；直流脉冲；中频；直流偏压；
(10) 清洗功能：可选配考夫曼离子源、射频离子源；
(11) 快速反应溅射功能：可选配Speedflo；
(12) 膜厚监控功能：可选配晶控膜厚在线监测与终点控制；
(13) 精密光学膜系统：可选配；
(14) 操作模式：全自动+半自动控制。
可开展的实验：普适镀膜机，用于各种单层膜、多层膜和掺杂膜系。可镀各种硬质膜、金属膜、合金、化合物、半导体、陶瓷膜、介质复合膜和其他化学反应膜。主要用于实验室制备有机传感器件的金属电极及介电层，以及制备用于生长纳米材料的薄膜层。
2.1.4. 高真空有机热蒸发镀膜机
主要技术参数：
(1) 腔体尺寸：Φ400 mm×H450 mm；
(2) 极限真空度：≤3×10-7 Pa；
(3) 系统漏率：5×10-9 Torr*L/S；
(4) 系统停泵关机后12小时后，真空度≤5 Pa；
(5) 抽气时间：大气压~5×10-4 Pa小于20 min；
(6) 样品台：承载最大小于150 × 150 mm样品；
(7) 可加热温度：室温至350 oC；
(8) 蒸发源电源具有恒流和恒压二种驱动驱动模式，二者可切换；
(9) 2套水冷探头；
(10) 监测厚度显示范围 0-99 μm；
(11) 显示及控制精度：0.01Å；
(12) 可实现共蒸发，可控制电源实现自动镀膜功能；
(13) 缺水欠压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护、真空系统检测与保护；
(14) Ø150 mm圆形基片成膜不均匀性：优于±5%；
(15) 电气部分PLC及触摸屏采用德国西门子品牌PLC；
(16) 继电器等原件采用施耐德品牌。
可开展的实验：传感器件发光层及传输层薄膜蒸镀，量子点LED、钙钛矿LED、OLED等器件电极制备。
2.1.5. 高温材料合成炉
主要技术参数：
(1) 电压：220 V 额定功率3 KW；
(2) 最高温度：1200℃（＜30min）；
(3) 工作温度：1000℃；
(4) 加热元件：掺钼铁铬铝合金；
(5) 热电偶：K型；
(6) 采用PID方式调节温度，可设置30段升降温程序；
(7) 仪表控温精度：+/-1℃。
可开展的实验：实现对传感材料的蒸发和升华，以及薄膜沉积。
2.1.6. 真空吸附线棒刮刀加热一体式涂布机
主要技术参数：
(1) 外形尺寸：630 mm×410 mm×520 mm；
(2) 刮刀涂布精度：±0.003 mm；
(3) 涂布厚度范围：0~10 mm刮刀可升降；
(4) 涂布速率：0.1~80 mm/s；
(5) 涂布幅画：300 mm×400 mm；
(6) 涂布棒规格：1根国产线棒+1根精度高达1 μm的进口线棒，有效涂布宽度300 mm；(7) 主机电源：220 V 50 Hz；
(8) 加热温度范围：室温至180 oC，温度均匀度±3 oC；
(9) 真空泵尺寸：380 mm×180 mm×280 mm；
(10) 可定制喷气系统装置、UV固含装置、自动加墨系统。
可开展的实验：大面积光学薄膜以及大面积传感器件的刮涂制备。
2.1.7. 手动升降旋转蒸发仪
主要技术参数：
(1) 回转速度：10~310 rpm；
(2) 蒸发能力：Max25 mL/min (JIS标准1L瓶，水的蒸发量)；
(3) 极限真空度：≤399.9 Pa (3 mmHg) Pa；
(4) 使用环境温度：5~35oC；
(5) 旋转电机：DC无刷电机；
(6) 主机底座：圆角型380 mm×342 mm；
(7) 管路连接口径：接口外径10 mm；
(8) 特色功能：试料瓶可左右两侧安装，试料瓶可定时正反转，可使用3L试料瓶；
(9) 升降器冲程：180 mm；
(10) 冷凝管：直立式分体四通瓶二重蛇形盘管，冷却面积0.146 m2；
(11) 回收瓶：球型瓶1 L球磨口NS35/20；
(12) 试料瓶：梨型瓶1 L标准磨口NS29/38；
(13) 旋转轴：内径18 mm×全长178 mm TS29/38；
(14) 真空密封垫：特氟龙密封垫加特氟龙/Viton双重密封垫；
(15) 配备冷却水循环装置和隔膜真空泵。
可开展的实验：用于标准蒸馏、结晶、产物浓缩、粉末干燥以及一种或多种溶剂的分离，以及用于气相、液相以及质谱分析过程中样品的前处理。