报告人：魏钟鸣 中国科学院半导体研究所

报告题目：IV-VI族低维半导体材料与偏振光探测器

报告时间：2024年4月29日上午10:00-11:00

报告地点：实验四号楼202室

内容摘要：二维IV族金属硫属化合物（IV-VI族）作为二维半导体的重要系列之一，因其较大的带隙调控范围和较低的晶格对称性，在电学、光学、热电、铁电、磁性等方面显示出独特的物理性质。该体系还与核心半导体工艺具有较好的兼容性，相关元素在地球上资源丰富而具有低成本、环保等特性。因此，IV-VI族低维半导体在光电器件领域展示出越来越大的应用潜力。我们课题组针对IV-VI族二维半导体材料及光电器件进行了长期的探索，围绕材料的设计、制备和器件构筑取得一些进展。作为一种特殊的光电器件，偏振光探测器能实现对光的强度、波长和方向进行多维度响应，在光通信、成像等领域有重要的应用。这里我们主要对新型IV-VI族二维半导体在偏振光探测方面的原型器件和工作机理进行汇报。发现具有二维层状堆积晶体结构和面内各向异性的GeSe、SnSe等材料表现出优异的偏振光探测性能，并且探测波段从可见区覆盖到红外区，在808 nm的短波近红外区获得最优性能。进而实现了基于IV-VI族二维半导体的偏振响应人工神经网络分析和偏振图像传感器原型器件。

个人简介：魏钟鸣，男，中国科学院半导体研究所研究员、博导，中国科学院大学岗位教授。2005年本科毕业于武汉大学，2010年7月于中国科学院化学研究所获理学博士学位。2010年8月至2013年8月，在丹麦哥本哈根大学从事博士后研究。2013年9月至2015年1月，在丹麦哥本哈根大学任助理教授。2015年2月回国，入职中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室。长期从事新型低维半导体材料与器件的研究工作，以通讯或第一作者在Nat. Commun.; Adv. Mater.; IEEE EDL/TED；Journal of Semiconductors等期刊发表论文60多篇，入选“电子科学与技术学科”Elsevier 2020、2021年中国高被引学者。先后获得基金委优秀青年科学基金（2016）、国家杰出青年科学基金（2021）等项目的资助。2021年1月起，担任《Journal of Semiconductors》（半导体学报）副主编。